برسی توان مبدل های دیجیتال به آنالوگ نردبان R-2R با استفاده از مدار پشته، در تکنولوژی ۶۵ نانو CMOS

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 برسی توان مبدل های دیجیتال به آنالوگ نردبان R-2R با استفاده از مدار پشته، در تکنولوژی ۶۵ نانو CMOS دارای ۹ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد برسی توان مبدل های دیجیتال به آنالوگ نردبان R-2R با استفاده از مدار پشته، در تکنولوژی ۶۵ نانو CMOS  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی برسی توان مبدل های دیجیتال به آنالوگ نردبان R-2R با استفاده از مدار پشته، در تکنولوژی ۶۵ نانو CMOS،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن برسی توان مبدل های دیجیتال به آنالوگ نردبان R-2R با استفاده از مدار پشته، در تکنولوژی ۶۵ نانو CMOS :

تعداد صفحات :۹

چکیده مقاله:

مصرف توان یکی از نگرانی های بالا مدارهای VLSI، که ماسفت تکنولوژی اولیه آن است. تمرکز امروزه در توان کم، نه تنها بخاطر خواسته های اخیر در حال رزشد از کاربردهای تلفن همراه است، حتی قبل از دوران تلفن همراه مصرف توان یک مشکل اساسی بوده است. تکنیک های مختلف ذخیره سازی توان باعث شده که در این مقاله از مدار پشته بجای مدار وارانگر در قسمت سوئیچینگ مبدل دیجیتال به آنالوگ نردبان R-2R، استفاده شود. سپس باسایزینگ ترانزیستورها در تکنولوژی ۶۵ نانومتر نرم افزار Hspice شبیه سازی، و به بررسی مشخصه توان مبدل با ساختار جدید پرداخته شده است. استفاده از مدار پشته باعث شده، مقدار اتلاف توان در قسمت سوئیچینگ را بیش از ۸۰ درصد کاهش دهد که این مقدار منجر به بهبود در مشخصه توان در مبدل دیجیتال به آنالوگ با ساختار جدید می گردد.