دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور بررسی ابعاد مطلوب و روش های استخراج ولتاز آستانه در افزاره ۲۸nm-UTBB SOI
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
بررسی ابعاد مطلوب و روش های استخراج ولتاز آستانه در افزاره ۲۸nm-UTBB SOI دارای ۱۶ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد بررسی ابعاد مطلوب و روش های استخراج ولتاز آستانه در افزاره ۲۸nm-UTBB SOI کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی بررسی ابعاد مطلوب و روش های استخراج ولتاز آستانه در افزاره ۲۸nm-UTBB SOI،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن بررسی ابعاد مطلوب و روش های استخراج ولتاز آستانه در افزاره ۲۸nm-UTBB SOI :
تعداد صفحات :۱۶
چکیده مقاله:
ویژگی ها و برتری های ترانزیستوری سیلیکون روی عایق باعث گسترش استفاده و جایگزینی این ترانزیستورها در مدارات مجتمع شده است، در ابتدا به مقایسه ترانزیستورهای بدنه سیلیکون با ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق می پردازیم. در ادامه به بررسی روش های کاهش اثرات پارازیتی، بهبود اثرات کانال کوتاه و بهبود مصرف توان در ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق پرداخته می شود و همانطور که بیان خواهد شد این روش ها منجر به استفاده از تکنولوژی UTB و تکنولوژی UTBB می شود. با توجه به این نکته که کاهش اندازه اجزا و افزاره ها در تکنولوژی مدارات مجتمع با حداقل طول کانال شرح داده می شود لذا به تعیین ابعاد دقیق یک افزاره متناسب با طول گیت و براساس تعاریف و قوانین استاندارد می پردازیم. علاوه بر اهمیت تعیین ابعاد و پارامترهای فیزیکی لازم جهت شبیه سازی و ساخت افزاره، استخراج پارامترهای ترانزیستور سیلیکون روی عایق نظیر ولتاژ آستانه بخش مهم دیگری از پروسه توصیف و مدل سازی افزاره می باشد که در این تحقیق این موضوع نیز بررسی می شود. در پایان نتایج حاصل از تحقیق در طراحی و شبیه سازی افزاره مورد استفاده قرار می گیرد.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
