دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور ارائه مدل شبیه سازی ترانزیستورهای نانولوله کربنی چند کاناله
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
ارائه مدل شبیه سازی ترانزیستورهای نانولوله کربنی چند کاناله دارای ۱۲ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد ارائه مدل شبیه سازی ترانزیستورهای نانولوله کربنی چند کاناله کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی ارائه مدل شبیه سازی ترانزیستورهای نانولوله کربنی چند کاناله،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن ارائه مدل شبیه سازی ترانزیستورهای نانولوله کربنی چند کاناله :
تعداد صفحات :۱۲
چکیده مقاله:
در این مقاله ما به ارائه یک مدل جدید، جهت شبیه سازی ترانزیستورهای نانولوله کربنی چند کاناله می پردازیم. به دلیل اینکه خازن های داخلی افزاره، بسیار مهم بوده و تاثیر زیادی بر مشخصه های جریانی آن خواهد گذاشت. در این بررسی ابتدا خازن های ذاتی و پارازیتی ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی چند کاناله را، با در نظر گرفتن اثرات پوششی بین کانال های مجاور نشان خواهیم داد. سپس با معرفی شبیه ساز بالستیک برای ترانزیستور اثر میدانی با هندسه مشخص، به ارائه مدل جدید شبیه سازی برای ترانزیستورهای چند کاناله، با در نظر گرفتن کامل خازن های ساختار آن، خواهیم پرداخت و مشخصه جریانی افزاره را بدست خواهیم آورد.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
