بررسی ناپایداری ناشی از دما و بایاس منفی روی سلول حافظه SRAM مبتنی بر FinFET


در حال بارگذاری
بررسی ناپایداری ناشی از دما و بایاس منفی روی سلول حافظه SRAM مبتنی بر FinFET
23 اکتبر 2022
فایل ورد و پاورپوینت
2120
12 بازدید
۷۹,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 بررسی ناپایداری ناشی از دما و بایاس منفی روی سلول حافظه SRAM مبتنی بر FinFET دارای ۹ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد بررسی ناپایداری ناشی از دما و بایاس منفی روی سلول حافظه SRAM مبتنی بر FinFET  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی بررسی ناپایداری ناشی از دما و بایاس منفی روی سلول حافظه SRAM مبتنی بر FinFET،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن بررسی ناپایداری ناشی از دما و بایاس منفی روی سلول حافظه SRAM مبتنی بر FinFET :

تعداد صفحات :۹

چکیده مقاله:

ناپایداری ناشی از دما و بایاس منفی(NBTI) یکی از دغدغه های اصلی قابلیت اطمینان برای افزاره های امروزی و آینده است که باعث تخریب عملکرد در طول زمان می شود. در این مقاله به بررسی اثر NBTI در سلول حافظه SRAM براساس ترانزیستور FinFET پرداخته شده و اثر NBTI بر روی Hold SNM و Read SNM بررسی شده است. نتایج شبیه سازی با استفاده از نرم افزار HSPICE گره تکنولوژی ۱۴nm در دمای ۱۲۵ درجه سانتی گراد و منبع تغذیه ۰.۸ ولت برای فاصله زمان های مختلف انجام شده است. نتایج نشان می دهد که پدیده ی ناپایداری ناشی از دما و بایاس منفی مقادیر SNM نگهداری و SNM خواندن را تحت تأثیر خود قرار می دهد و براساس اندازه گیری های انجام شده در این پژوهش، در بدترین شرایط میزان SNM نگهداری و SNM خواندن در نتیجه NBTI در فاصله زمانی (T=10(6 ثانیه ، به ترتیب۱۵.۳۲ % و۳۴.۹۳ % تنزل پیدا کرده و سلول ناپایدار شده است.

  راهنمای خرید:
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.