دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور بررسی و تعیین نقش عایق سطح بندی شده و نامتقارن ترکیبی بین گیت و بدنه بر توان نشتی در ترانزیستورهای MOS کانال کوتاه
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
بررسی و تعیین نقش عایق سطح بندی شده و نامتقارن ترکیبی بین گیت و بدنه بر توان نشتی در ترانزیستورهای MOS کانال کوتاه دارای ۲۰ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد بررسی و تعیین نقش عایق سطح بندی شده و نامتقارن ترکیبی بین گیت و بدنه بر توان نشتی در ترانزیستورهای MOS کانال کوتاه کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی بررسی و تعیین نقش عایق سطح بندی شده و نامتقارن ترکیبی بین گیت و بدنه بر توان نشتی در ترانزیستورهای MOS کانال کوتاه،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن بررسی و تعیین نقش عایق سطح بندی شده و نامتقارن ترکیبی بین گیت و بدنه بر توان نشتی در ترانزیستورهای MOS کانال کوتاه :
تعداد صفحات :۲۰
چکیده مقاله:
در این مقاله منابع توان نشتی شامل جریانهای نشتی بررسی و اثر مواد دی الکتریک روی انها شبیه سازی گردیده است و در این راستا روشهای کاهش توان نشتی گیت با استفاده از عایق و ماد دی الکتریک بصورت متقارن بشک استک و پشته همچنین بصورت سطح بندی شد ه و غیر قابل متقارن تحلیل و مقایسه شدهاست استفاده از عایق ترکیبی بصورت سطح بندی و نامتقارن منجر به بهبود عملکرد دیوایس از نظر کاهش توان نشتی گردیدهاست.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
