دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور تقویت کننده دو طبقه CMOS با بهره فوق العاده بالا و توان پایین براساس ساختارهای خودکسکود و بهبود مقاومت خروجی
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
تقویت کننده دو طبقه CMOS با بهره فوق العاده بالا و توان پایین براساس ساختارهای خودکسکود و بهبود مقاومت خروجی دارای ۹ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد تقویت کننده دو طبقه CMOS با بهره فوق العاده بالا و توان پایین براساس ساختارهای خودکسکود و بهبود مقاومت خروجی کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی تقویت کننده دو طبقه CMOS با بهره فوق العاده بالا و توان پایین براساس ساختارهای خودکسکود و بهبود مقاومت خروجی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن تقویت کننده دو طبقه CMOS با بهره فوق العاده بالا و توان پایین براساس ساختارهای خودکسکود و بهبود مقاومت خروجی :
تعداد صفحات :۹
چکیده مقاله:
در این مقاله یک تقویت کننده دو طبقه بهره بالا با ساختاری از معماری ویدلار کلاسیک ارائه شده است. طبقه ورودی تفاضلی این تقویت کننده با استفاده از ساختارهای خودکسکود با نسبت ابعاد معکوس در ناحیه زیر آستانه بایاس شده اند که اگر یکی از ترانزیستورها به گونه ای بایاس شود که در این ناحیه کار کند می توان یک بهره ولتاژ خیلی بالا بدست آوردکه موجب ایجاد خازن بزرگتر در خروجی شده و پاسخ فرکانسی آنرا محدود میکند. خازن بزرگتر در خروجی طبقه تفاضلی ورودی، نیاز برای یک خازن جبران ساز داخل تراشه را به حداقل می رساند و یا برطرف می کند که در این صورت مساحت اشغال شده تراشه کاهش می یابد. همچنین این عملکرد منجر به اعوجاج کم، توان مصرفی پایین و کاهش ظرفیت خازن جبران ساز می شود. این ساختار شامل دو یا چند ترانزیستور پشته شده با ترمینال گیت مشترک می باشدکه اگر نسبت ابعاد افزاره کسکود ترانزیستور مورد نظر بزرگتر از افزاره درایور آن نگه داشته شود میتواند مقاومت خروجی را بهبود دهد.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
