دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور بررسی هیسترزیس با توجه به رانش یون ها در ممریستور با اعمال ورودی های مختلف
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
بررسی هیسترزیس با توجه به رانش یون ها در ممریستور با اعمال ورودی های مختلف دارای ۸ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد بررسی هیسترزیس با توجه به رانش یون ها در ممریستور با اعمال ورودی های مختلف کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی بررسی هیسترزیس با توجه به رانش یون ها در ممریستور با اعمال ورودی های مختلف،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن بررسی هیسترزیس با توجه به رانش یون ها در ممریستور با اعمال ورودی های مختلف :
تعداد صفحات :۸
چکیده مقاله:
ممریستور چهارمین عنصر اصلی مدار بعد از مقاومت، سلف و خازن معرفی شده است، که رفتار آنالوگی دارد و یک عنصر پسیو، حافظه دار و با سرعت سوئیچینگ بالا و در ابعاد نانو ساخته شده است . منحنی هیسترزیس جریان – ولتاژ ممریستور باعث می شود بتواند به عنوان حافظه مقاومتی غیر فرار عمل کرده و مقادیر خود را تا زمان اعمال ولتاژ بعدی ذخیره و حفظ کند. حال برای اینکه بتوانیم استفاده مناسب تری از این عنصر داشته باشیم باید عملکرد مدل رفتاری ممریستور را بررسی و مشخصات آن استخراج شود که در این مقاله به بررسی رفتار این عنصر با تغییرنوع ورودی و پارامترهای آن مانند فرکانس و نوع ولتاژ ورودی وغیره،پرداخته ایم و حاصل این تغییرات را بر روی منحنی مشخصه ی ولتاژ – جریان مشاهده نمودیم.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
