طراحی و شبیه سازی تقویت کننده ی بایو با بهره ی ولتاژ بالا و آفست ورودی پایین مبتنی برتکنولوژی CMOS 09 نانومتر

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 طراحی و شبیه سازی تقویت کننده ی بایو با بهره ی ولتاژ بالا و آفست ورودی پایین مبتنی برتکنولوژی CMOS 09 نانومتر دارای ۱۸ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد طراحی و شبیه سازی تقویت کننده ی بایو با بهره ی ولتاژ بالا و آفست ورودی پایین مبتنی برتکنولوژی CMOS 09 نانومتر  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی طراحی و شبیه سازی تقویت کننده ی بایو با بهره ی ولتاژ بالا و آفست ورودی پایین مبتنی برتکنولوژی CMOS 09 نانومتر،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن طراحی و شبیه سازی تقویت کننده ی بایو با بهره ی ولتاژ بالا و آفست ورودی پایین مبتنی برتکنولوژی CMOS 09 نانومتر :

تعداد صفحات :۱۸

چکیده مقاله:

دراین مقاله یک تقویت کننده با بهره ی ولتاژ بالا با تکنیک self biasing ، برای بدست آوردن CMRR بالا و آفست ورودی پایین و حساسیت پایین نسبت به روند تغییرات را مورد مطالعه قرار دادیم و به بررسی و تنظیم فرکانس قطع پایین تقویت کننده و تنظیم بهره حلقهبسته تقویت کننده میپردازیم سپس آن را با تکنولوژی دیگر مقایسه و نتایج را بررسی میکنیم . شاخص های ارزیابی شامل توان مصرفی ، بهره مد تفاضلی ، حدفاز، فرکانس بهره واحد ، بهره مد مشترک ) CMRR (و ولتاژ آفست ورودی می باشد نتایج شبیه سازی تقویت کننده پیشنهادی در تکنولوژی ۰۹ نانومترنشان میدهد که شاخص های کارآیی تقویت کننده از جمله سرعت ، توان مصرفی، فرکانس قطع پایین و بهره در مقایسه با دیگر تکنولوژی ها از کارآیی بهتری برخوردار است. نتایج شبیه سازی در تکنولوژی ۰۹ نانومتر نشان میدهد که فرکانس بهره واحد۱/۸۵ است که نسبت به نمونه ی قبلی به میزان ۰۱.۱۹ درصد و توان مصرفی ۱۴۲ میکرو وات که نسبت به نمونه ی قبلی به میزان۲۵.۶۰۲ درصد و میزان آفست ورودی.۲.۱۱V ومقدار CMRR برابر ۱.۰ دسی بل است که نسبت به نمونه ی قبلی به میزان . ۱۴.۱ درصد در نتیجه بهبود حاصل شده است