دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور ارتعاشات و پایداری خمش – پیچش نانو نوار کربنی حامل جریان الکتریکی تحت اثر میدان مغناطیسی عرضی با استفاده از تئوری ارینگن
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
ارتعاشات و پایداری خمش – پیچش نانو نوار کربنی حامل جریان الکتریکی تحت اثر میدان مغناطیسی عرضی با استفاده از تئوری ارینگن دارای ۱۴ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد ارتعاشات و پایداری خمش – پیچش نانو نوار کربنی حامل جریان الکتریکی تحت اثر میدان مغناطیسی عرضی با استفاده از تئوری ارینگن کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی ارتعاشات و پایداری خمش – پیچش نانو نوار کربنی حامل جریان الکتریکی تحت اثر میدان مغناطیسی عرضی با استفاده از تئوری ارینگن،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن ارتعاشات و پایداری خمش – پیچش نانو نوار کربنی حامل جریان الکتریکی تحت اثر میدان مغناطیسی عرضی با استفاده از تئوری ارینگن :
تعداد صفحات :۱۴
چکیده مقاله:
در این مقاله، ارتعاشات و پایداری خمش – پیچش نانو نوایی کربنی حامل جریان الکتریکی تحت اثر میدان مغناطیسی عرضی مورد بررسی قرار گرفته است. معادلات حاکم بر حرکت نانو نوار کربنی حامل جریان، بر مبنای مدل تیر اویلر-برنولی غیرموضعی و براساس تئوری ارینگن است. توزیع نیروی جانبی حاصل از تداخل میدان مغناطیسی عرضی و جریان الکتریکی با استفاده از قانون نیروی لورنتس به دست آمده است. برای حل معادلات همگیر حاکم بر خمش – پیچش، از روش گالرکین استفاده شده مثل نیروی لورنتس جانبی و اثر مقیاس کوچک و روی فرکانس های خمش – پیچش و مرز ناپایداری آن مورد بررسی قرار گرفته است.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
