دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور طراحی وشبیه سازی لچ SR به کمک ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی برنانو لوله های کربنی
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
طراحی وشبیه سازی لچ SR به کمک ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی برنانو لوله های کربنی دارای ۱۲ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد طراحی وشبیه سازی لچ SR به کمک ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی برنانو لوله های کربنی کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی طراحی وشبیه سازی لچ SR به کمک ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی برنانو لوله های کربنی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن طراحی وشبیه سازی لچ SR به کمک ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی برنانو لوله های کربنی :
تعداد صفحات :۱۲
چکیده مقاله:
مطالعات انجام شده در زمینه طراحی مدارهای مجتمع آنالوگ و دیجیتال نشان می دهدکه استفاده ازترانزیستورهای نانو لوله کربنی تاثیر بسزایی درافزایش سرعت ،کاهش زمان تاخیر و توان مصرفی دارد. دراین مقاله نیز یک لچ SR ، با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانولوله های کربنی طراحی و شبیه سازی شده و نتایج شبیه سازی آن با نتایج لچ SR طراحی شده با ترانزیستور های اثر میدانی سیلیکونی مقایسه شده است. در این مقاله همچنینسعی شده که با تغییر پارامترهای ترانزیستورهای نانو لوله کربنی به بهترین جواب از نظر سرعت و توان مصرفی دست یابیم.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
