تحلیل و بررسی ترانزیستورهای اثر میدانی بدون پیوند ماسفتی مبتنی برنانولوله کربنی

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 تحلیل و بررسی ترانزیستورهای اثر میدانی بدون پیوند ماسفتی مبتنی برنانولوله کربنی دارای ۱۳ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد تحلیل و بررسی ترانزیستورهای اثر میدانی بدون پیوند ماسفتی مبتنی برنانولوله کربنی  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی تحلیل و بررسی ترانزیستورهای اثر میدانی بدون پیوند ماسفتی مبتنی برنانولوله کربنی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن تحلیل و بررسی ترانزیستورهای اثر میدانی بدون پیوند ماسفتی مبتنی برنانولوله کربنی :

تعداد صفحات :۱۳

چکیده مقاله:

ت اکنون مطالعات زیادی بر روی ترانزیستور های بدون اتصال انجام شده که ماده ای غیر از نانولوله کربنی در کانال آن استفاده شده است. در این پژوهش ساختار یک ترانزیستور اثر میدانی ماسفتی بدون اتصال مبتنی بر نانولوله کربنی که در آن از گیت کواکسیال استفاده شده است مورد بررسی قرار خواهد گرفت. به منظور شبیه سازی از روش تابع گرین غیرتعادلی NEGF) استفاده شده و اثر تغییرات اکسید، طول کانال، تغییرات ضخامت اکسید و تغییرات کایرالیتی بر عملکرد افزاره بررسی شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد، افزایش ثابت دی الکتریک باعث بهبود ترارسانایی و نسبت ION/IOFF شده و از طرف دیگر منجر به افزایش خازن گیت و افزایش تاخیر می شود. با افزایش کایرالیتی جریان روشنایی و خاموشی افزایش می یابند و همچنین خازن گیت و ترارسانایی را نیز افزایش می دهد و باعث افزایش تاخیر ذاتی در افزاره می شود. با کاهش طول کانال،جریان خاموشی افزایش می یابد که باعث تخریب سوئینگ زیر آستانه می گردد و از طرف دیگر کنترل بیشتر گیت برروی کانال و افزایش gm را در پی خواهد داشت. افزایش ضخامت اکسید، باعث کاهش جریان خاموشی، بهبود نسبت ION/IOFF کاهش ترارسانایی، کاهش خازن گیت و کاهش تاخیر ذاتی در افزاره می شود.