ولتاژ آستانه و خازن بدنه در ماسفت های سیلیکون روی الماس با یک لایه عایق اضافی

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 ولتاژ آستانه و خازن بدنه در ماسفت های سیلیکون روی الماس با یک لایه عایق اضافی دارای ۱۲ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد ولتاژ آستانه و خازن بدنه در ماسفت های سیلیکون روی الماس با یک لایه عایق اضافی  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی ولتاژ آستانه و خازن بدنه در ماسفت های سیلیکون روی الماس با یک لایه عایق اضافی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن ولتاژ آستانه و خازن بدنه در ماسفت های سیلیکون روی الماس با یک لایه عایق اضافی :

تعداد صفحات :۱۲

چکیده مقاله:

در این مقاله یک ترانزیستور سیلیکون روی الماس(SOD) با بدنه ی فوق نازک (UTB) و کانال کوتاه با یک لایه عایق اضافی ارائه شده است. لایه ی عایق اضافی باید گذردهی الکتریکی کمتری نسبت به الماس داشته باشد و بعنوان مثال می تواند SiO2 باشد، لایه ی عایق اول بطور کامل بر روی بستر قرار می گیرد در حالی که لایه ی عایق اضافی به طور جزئی الماس را می پوشاند. ما تاثیر طول لایه ی عایق دوم را بر روی خازن معادل و همچنین تاثیر طول و ضخامت این لایه را بر ولتاژ آستانه ی این ساختار بررسی نموده ایم. ولتاژ آستانه ی کانال جلو و کانال پشت به کمک حداقل پتانسیل سطحی گیت جلو/پشت بدنه ی سیلیکونی بدست می آید مقدار کوچکتر بین ولتاژ آستانه ی کانال جلو و کانال پشت بعنوان ولتاژ آستانه ی قطعه شناخته می شود، که این حداقل پتانسیل سطحی گیت جلو/پشت برابر با می باشد، اختلاف بین تراز فرمی غیرذاتی در ناحیه ی کانال و تراز فرمی ذاتی است