دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور افزایش ولتاژ شکست و کاهش مقاومت حالت روشن ترانزیستور SOI-LDMOS با استفاده از یک لایه فلز در لایه ی اکسید مدفون
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
افزایش ولتاژ شکست و کاهش مقاومت حالت روشن ترانزیستور SOI-LDMOS با استفاده از یک لایه فلز در لایه ی اکسید مدفون دارای ۱۲ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد افزایش ولتاژ شکست و کاهش مقاومت حالت روشن ترانزیستور SOI-LDMOS با استفاده از یک لایه فلز در لایه ی اکسید مدفون کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی افزایش ولتاژ شکست و کاهش مقاومت حالت روشن ترانزیستور SOI-LDMOS با استفاده از یک لایه فلز در لایه ی اکسید مدفون،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن افزایش ولتاژ شکست و کاهش مقاومت حالت روشن ترانزیستور SOI-LDMOS با استفاده از یک لایه فلز در لایه ی اکسید مدفون :
تعداد صفحات :۱۲
چکیده مقاله:
در این مقاله به منظور افزایش کارایی ترانزیستورهای ماسفت با نفوذ دوگانه ی افقی، ساختار جدیدی برای ادواتساخته شده با استفاده از تکنولوژی سیلیسیم روی عایق ارائه شده که در آن یک ناحیه ی فلزی در لایه ی اکسید مدفونقرار گرفته است. استفاده از لایه ی فلز در ساختار پیشنهادی موجب توزیع یکنواخت تر میدان الکتریکی در ناحیه ی رانشیشده و ولتاژ شکست افزایش می یابد. در کنار افزایش ولتاژ شکست، مقاومت حالت روشن افزاره نیز به دلیل افزایش غلظتناخالصی در ناحیه ی رانشی کاهش می یابد. نتایج شبیه سازی های انجام شده برای ساختار پیشنهاد شده بهبود قابل توجهیرا در مقاومت حالت روشن و ولتاژ شکست نسبت به ساختار متداول نشان می دهد.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
