مقاله بررسی اثرات دمایی ترانزیستور ۴۵mn سیلیکون روی الماس

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله بررسی اثرات دمایی ترانزیستور ۴۵mn سیلیکون روی الماس دارای ۸ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله بررسی اثرات دمایی ترانزیستور ۴۵mn سیلیکون روی الماس  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی اثرات دمایی ترانزیستور ۴۵mn سیلیکون روی الماس،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله بررسی اثرات دمایی ترانزیستور ۴۵mn سیلیکون روی الماس :

مقاله بررسی اثرات دمایی ترانزیستور ۴۵mn سیلیکون روی الماس که چکیده‌ی آن در زیر آورده شده است، در زمستان ۱۳۸۸ در مهندسی برق مجلسی از صفحه ۶۳ تا ۶۸ منتشر شده است.
نام: بررسی اثرات دمایی ترانزیستور ۴۵mn سیلیکون روی الماس
این مقاله دارای ۶ صفحه می‌باشد، که برای تهیه‌ی آن می‌توانید بر روی گزینه‌ی خرید مقاله کلیک کنید.
کلمات مرتبط / کلیدی:
مقاله ماسفت
مقاله سیلیکون روی عایق
مقاله سیلیکون روی الماس
مقاله شبیه سازی هیدرودینامیک
مقاله اثر خودگرمایی

چکیده و خلاصه‌ای از مقاله:
در این مقاله مشخصه های دمایی زیرپایه های سیلیکون روی عایق (SOI) و سیلیکون روی الماس (SOD) با طول کانال ۴۵nm، با استفاده از شبیه سازی هیدرودینامیک مورد بررسی قرار گرفته است. از آنجا که الماس دارای هدایت گرمایی بسیار بالایی در مقایسه با اکسید سیلیکون بوده، لذا با انتقال سریع گرما در زیرپایه های سیلیکون روی الماس، دمای شبکه نسبت به زیرپایه های سیلیکون روی عایق بسیار افت کرده، به طوری که امکان استفاده از این زیرپایه ها را در شرایط دمایی یکسان و توان بالاتر فراهم می کند. از طرفی در مدارات مجتمع بر پایه تکنولوژی سیلیکون روی الماس، هدایت یکنواخت و سریع گرما توسط لایه الماس موجب همدما شدن ترانزیستورهای کناری با دمای ترانزیستور فعال می گردد. در این مقاله برای اولین بار اثر عایق مدفون الماس در انتقال گرمای تولید شده به ترانزیستورهای کناری مورد بررسی قرار می گیرد. نتایج شبیه سازی بیانگر افزایش جریان خاموشی (Ioff) ترانزیستورهای کناری تا میزان ۸ برابر می باشد. این وابستگی دمایی، باعث افزایش جریان خاموشی ترانزیستورهای کناری و ایجاد مساله عدم انطباق در مدارات مجتمع می گردد.