تحقیق حافظه ها

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 تحقیق حافظه ها دارای ۱۱ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد تحقیق حافظه ها  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی تحقیق حافظه ها،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن تحقیق حافظه ها :

ROM
حافظه فقط خواندنی یا ROM ،نوعی از حافظه است که میتواند به طور دائمی داده ها را نگاه دارد. زیرا نوشتن در آن غیرممکن است .معمولا به ROM ، حافظه غیرفرار هم گفته می شود زیرا داده های ذخیره شده در RAM حتی با قطع برق کامپیوتر نیز در آن باقی می مانند. ROM به تنهایی یک مکان ایده آل برای قرار دادن دستورالعمل های شروع به کار PC می باشد به عبارت دیگر نرم افزاری می باشد که سیستم راه اندازی می کند.
در واقع ROM را میتوان زیر مجموعه ای RAM کامپیوتر در نظر گرفت. در بعضی از سیستم های شرکت مخابرات شهرستان کرج نوعی از ROM به نام EEPROM (حافظه فقط خواندنی قابل پاک شدن الکتریکی) بکار می برند که شکلی از حافظه Flash می باشد. Flash، یک حافظه کاملا غیرفرار است که قابل نوشتن مجدد می باشد و به کاربر امکان می دهد تا به راحتی ROM را ارتقا دهد.
DRAM
RAM پویا نوعی از حافظه می باشد که در بخش اعظم حافظه اصلی یک PC جدید بکار می رود. مزایای اصلی DRAM اینست که بسیار فشرده است به عبارت دیگر تعداد زیادی بیت در یک تراشه بسیار کوچک جا می دهیم و به دلیل این که ارزان است مامی توانیم مقادیر بزرگی از حافظه را بخریم.
خانه های حافظه موجود در یک DRAM خازن کوچکی هستند که برای نشان دادن یک بیت دارای یک شارژ می باشند. مشکل DRAM ها پویا بودن آنست و به لحاظ نوع طراحی، باید دائما نوسازی (refresh) شود، در غیر اینصورت با از بین رفتن بارها ی الکتریکی در خازن های جداگانه حافظه، داده ها نیز از بین می روند. نوسازی زمانی اتفاق می افتد که کنترل حافظه سیستم یک مکث کوتاه دارد و به همه سطرهای داده ها در حافظه دسترسی پیدا میکند. بسیاری از سیستم ها یک کنترلر حافظه دارند که برای یک میزان نوسازی استاندارد صنعتی ۱۵ میکروثانیه ای تنظیم می شود به عبارت دیگر هر ۱۵ میکرو ثانیه همه سطرهای موجود در حافظه خوانده می شوند داده ها نوسازی شود.