مقاله بررسی ساختار ترانزیستورهای اثر میدانی ماسفتی مبتنی بر نانو لوله های کربنی

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله بررسی ساختار ترانزیستورهای اثر میدانی ماسفتی مبتنی بر نانو لوله های کربنی دارای ۴ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله بررسی ساختار ترانزیستورهای اثر میدانی ماسفتی مبتنی بر نانو لوله های کربنی  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی ساختار ترانزیستورهای اثر میدانی ماسفتی مبتنی بر نانو لوله های کربنی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله بررسی ساختار ترانزیستورهای اثر میدانی ماسفتی مبتنی بر نانو لوله های کربنی :

تعداد صفحات:۴
چکیده:
رشد سریع فناوری ساخت مدارهای الکترونیکی و ورود به مرز فناوری نانو، همراه با مزایای دور از انتظاری که برای این فناوری به دنبال داشته، چالش‏های فراوانی را فرا روی متخصصین الکترونیک قرار داد. برخی از این چالش ها مربوط به فرایند فناوری ساخت مدارهای الکترونیکی و بخشی نیز مربوط به کوچک شدن ابعاد ترانزیستورها است که منجر به افزایش اثرات کانال کوتاه و جریان نشتی خواهد شد.افزایش این مسائل پژوهشگران را به فکر جایگزینی، مواد جدیدی به منظور استفاده در مدارهای الکترونیکی و ترانزیستورها انداخت. از جمله این مواد نانولوله های کربن می باشد. هدف کلی این مقاله بررسی ساختار ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانو لوله های کربنی در حالت بالستیک به منظور کاهش جریان Ambipolar می باشد. به همین منظور اثر تغییرات ضخامت، ثابت دی الکتریک، تراکم اتمی در سمت درین مورد بررسی قرار داده می شود. با افزایش ضخامت پهنای ناحیه تونل زنی در سمت سورس ودرین افزایش می یابد که این امر منجر به کاهش جریان Ambipolar می شود و با کاهش ثابت دی الکتریک جریان روشنایی، با ایجاد برآمدگی در فصل مشترک ناحیه سورس- اکسید کم می شود. با کاهش تراکم اتمی در سمت درین نیز جریان Ambipolar به دلیل افزایش پهنای ناحیه تونل زنی به میزان قابل توجهی کاهش می یابد.