دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله ترانزیستور اثر میدانی تونلی اصلاح شده مبتنی بر نانو نوار گرافین
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله ترانزیستور اثر میدانی تونلی اصلاح شده مبتنی بر نانو نوار گرافین دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله ترانزیستور اثر میدانی تونلی اصلاح شده مبتنی بر نانو نوار گرافین کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله ترانزیستور اثر میدانی تونلی اصلاح شده مبتنی بر نانو نوار گرافین،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله ترانزیستور اثر میدانی تونلی اصلاح شده مبتنی بر نانو نوار گرافین :
تعداد صفحات:۵
چکیده:
در این مقاله ساختار جدیدی به منظور بهبود عملکرد ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانونوار گرافین ارائه شده است در ساختار پیشنهادی از یک ناحیه با آلایش کم در سمت درین استفاده شده است. به همین منظور ساختار پیشنهادی را ترانزیستورهای اثر میدانی تونلی با آلایش کم در سمت درین نامگذاری نمودیم. ساختار پیشنهادی از لحاظ رفتار کلید زنی از عملکرد بسیار بهتری نسبت به ساختار معمول برخوردار می باشد همچنین جریان Ambipolar که از مشکلات ساختارهای تونلی متداول می باشد بسیار کاهش یافته است.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
