مقاله طراحی تقویت کننده گسترده غیر یکسان تفاضلی-کسکد

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله طراحی تقویت کننده گسترده غیر یکسان تفاضلی-کسکد دارای ۱۸ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله طراحی تقویت کننده گسترده غیر یکسان تفاضلی-کسکد  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله طراحی تقویت کننده گسترده غیر یکسان تفاضلی-کسکد،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله طراحی تقویت کننده گسترده غیر یکسان تفاضلی-کسکد :

تعداد صفحات:۱۸
چکیده:
ارتباطات بیسیم و دیگر کاربرد های فرکانس بالا نیاز به تقویت کننده هایی در بخش گیرنده و فرستنده دارند تا سیگنال های دریافتی و ارسالی را تقویت کنند. تقویت کننده های توزیع شده به دلیل بهره بردن از اصول طراحی خطوط انتقال و نیز تقویتکننده های گسترده؛ با فائق آمدن بر مشکلات خازن های پارازیتی یکی از بهترین گزینه ها جهت استفاده در این گونه کاربردها هستند. خاصیت پهنای باند و گین بالا و در عین حال صاف این نوع از تقویت کننده ها آنها را به بهترین و بهینه ترینگزینه برای کاربرد های مخابراتی فرکانس بالا که نیاز به سرعت بالا نیز دارند،تبدیل می کند. در این مقاله طراحی و بهینه سازی یک ساختار پیچیده از تقویت کننده گسترده مورد بررسی قرار گرفته است. در این توپولوژی با بهره گیری از دو تقویت کننده گسترده کاملا مجزا که در تکنولوژی۱۳-m CMOSبه یکدیگر متصل شده اند، یک تقویت کننده توزیع شده یکپارچه طراحی گردیده است. در این مقاله سلولهای بهره ای مشتمل از دو بخش می باشد. در تقویت کننده کسکد دو طبقه،یک کسکد سری شده با یک ترانزیستور سورس مشترک استفاده گردیده و در تقویت کننده تفاضلی سلول بهره تنها از یک طبقه کسکود تشکیل گردیده. تقویت کننده توزیع شده با ولتاژ منبعVdd =1.38V و بهرهdB S21 30درمحدوده فرکانسی۲۲GHz 0 تا GHzارائه گردیده است. حاصل ضرب بهره در پهنای باندGBWاین ساختار پیشنهادی برابر با ۶۶۰GHzاست که بسیار قابل قبول بوده وS22,S12,S11 که به ترتیب مچینگ ورودی ،ایزولاسیون و مچینگ خروجی تقویت کننده گسترده می باشند، برابر با۷۷ -< و ۳۶ – <>-18است. شبیه سازی مدار در برنامه شبیه سازADSو در تکنولوژی۱۳-m CMOSصورت گرفته است.