مقاله طراحی اشمیت تریگر ولتاژ پایین در پردازشCMOS 0.18µm با پسماند قابل تنظیم


در حال بارگذاری
23 اکتبر 2022
فایل ورد و پاورپوینت
2120
2 بازدید
۶۹,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله طراحی اشمیت تریگر ولتاژ پایین در پردازشCMOS 0.18µm با پسماند قابل تنظیم دارای ۶ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله طراحی اشمیت تریگر ولتاژ پایین در پردازشCMOS 0.18µm با پسماند قابل تنظیم  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله طراحی اشمیت تریگر ولتاژ پایین در پردازشCMOS 0.18µm با پسماند قابل تنظیم،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد


بخشی از متن مقاله طراحی اشمیت تریگر ولتاژ پایین در پردازشCMOS 0.18µm با پسماند قابل تنظیم :

تعداد صفحات:۶
چکیده:
اشمیت تریگرها به طور معمول در تکنیک های پردازش سیگنال برای حل مشکلات نویز استفاده می شوند .این مقاله یک مدار اشمیت تریگر ولتاژ پایین با پسماند قابل تنظیم ارائه می دهدکه از یک زوج وارونگر ایستای Cross-Coupled ، جهت بدست آوردن پسماند تحت ولتاژ پایین استفاده میکند. با تنظیم بار متقارن ، پسماند اشمیت تریگر تغییر داده میشود. عملکرد بازتولید زوج وارونگرCross-Coupled ، توسط آن کنترل شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که ولتاژ راه اندازی مدار اشمیت تریگر مفروض می تواند به طور تقریبی ۰۵ v تا ۱۲ v تنظیم شود . طراحی انجام شده برای به کارگیری در بافرها ، SRAM های زیر آستانه ، سنسورهای صفحه ای کانونی شبکه ، فرستنده های بیسیم و مدارهای مدولاسیون عرض پالس قابل اجرا است .

  راهنمای خرید:
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.