مقاله تخمین سریع ولتاژ آستانه MOSFET های دوگیتی بدون پیوند با استفاده از روش متعامدسازی گرام اشمیت


در حال بارگذاری
مقاله تخمین سریع ولتاژ آستانه MOSFET های دوگیتی بدون پیوند با استفاده از روش متعامدسازی گرام اشمیت
23 اکتبر 2022
فایل ورد و پاورپوینت
2120
1 بازدید
۷۹,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله تخمین سریع ولتاژ آستانه MOSFET های دوگیتی بدون پیوند با استفاده از روش متعامدسازی گرام اشمیت دارای ۱۰ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله تخمین سریع ولتاژ آستانه MOSFET های دوگیتی بدون پیوند با استفاده از روش متعامدسازی گرام اشمیت  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله تخمین سریع ولتاژ آستانه MOSFET های دوگیتی بدون پیوند با استفاده از روش متعامدسازی گرام اشمیت،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله تخمین سریع ولتاژ آستانه MOSFET های دوگیتی بدون پیوند با استفاده از روش متعامدسازی گرام اشمیت :

تعداد صفحات:۱۰
چکیده:
اثر کاهش ارتفاع سد پتانسیل توسط درین – ۱ یا اصطلاحاً DIBL یکی از اثرات کانال کوتاه در خانوادهMOSFET ها می باشد که باعث می شود ولتاژ آستانب ترانزیستور با افزایش ولتاژ درین کاهش یابد. این اثر باعث میشود که دیگر نتوانیم VT رامقداری ثابت درنظر بگیریم و باید متناسب با ولتاژ درین مقدار جدید را برا ی آن محاسبه کنیم ازاین رو برای درنظر گرفتن اثر DIBL در طراحی مدارات مجتمع نیاز داریم بار محاسباتی زیاد ی را متحو ل شویم که این خود با عث کندی زیاد روندشبیه سازی میشود ازاین رو دراین مقاله یک راه حل جبری را براساس روش متعامد سازی گرام اشمیت پیشنهاد داده ایم که ولتاژ استانه نسل جدید MOSFETها یعنی MOSFETهای دوگیتی بدون پیوند OSFET-DG-JL رابادقت بالا وسرعت بسیاربالا محاسبه میکند

  راهنمای خرید:
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.