مقاله طراحی و تحلیل سوئیچ سری جدید RF MEMS ، با ولتاژ تحریک پایین

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله طراحی و تحلیل سوئیچ سری جدید RF MEMS ، با ولتاژ تحریک پایین دارای ۱۲ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله طراحی و تحلیل سوئیچ سری جدید RF MEMS ، با ولتاژ تحریک پایین  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله طراحی و تحلیل سوئیچ سری جدید RF MEMS ، با ولتاژ تحریک پایین،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله طراحی و تحلیل سوئیچ سری جدید RF MEMS ، با ولتاژ تحریک پایین :

تعداد صفحات:۱۲
چکیده:
در این مقاله ساختار جدیدی از سوئیچ خازنی سری MEMS ، با استفاده از دو فنر L-shaped ارائه شده است. با استفاده از این دو فنر که بین نگه دارنده و بیم تعبیه شده اند ثابت فنر و در نتیجه ولتاژ تحریک کاهش داده شده است. با قراردادن برجستگی در انتهای بیم به افزایش نیروی تماس و کاهش سطح تماس برای جلوگیری از چسپندگی نیز استفاده شده است که با شبیه سازی سوئیچ در نرم افزار Intellisuite ولتاژ تحریک در حد ۲ولت بدست آمده است. این سوئیچ دارای ابعاد کوچک به اندازه۱۱۰×۶۰ میکرومتر است که در مقایسه با سوئیچ های حالت کانتیلور تحریک الکتروستاتیک داری ولتاژ پایینی میباشد. همچنین با شبیه سازی ساختار سوئیچ در نرم افزار HFSS9.1 پارامترهای پراکندگی آن را بدست آورده شد که توان تلفاتی دارای مقدار ۰۰۷dB و توان بازگشتی دارای مقدار ۲۵dB ، ایزولاسیون ۱۷dB در فرکانس ۴۰GHz میباشد که در مقایسه با سوئیچهای دیگر دارای ولتاژ کمتری می باشدکه نسبت به سوئیچهای دیگر عملکرد بهتری دارد