مقاله طراحی مدار نمونه بردار و نگهدار با توان مصرفی پایین و دقت بالا در تکنولوژی ۳۲ نانومتر ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله طراحی مدار نمونه بردار و نگهدار با توان مصرفی پایین و دقت بالا در تکنولوژی ۳۲ نانومتر ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی دارای ۱۲ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله طراحی مدار نمونه بردار و نگهدار با توان مصرفی پایین و دقت بالا در تکنولوژی ۳۲ نانومتر ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله طراحی مدار نمونه بردار و نگهدار با توان مصرفی پایین و دقت بالا در تکنولوژی ۳۲ نانومتر ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله طراحی مدار نمونه بردار و نگهدار با توان مصرفی پایین و دقت بالا در تکنولوژی ۳۲ نانومتر ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی :

تعداد صفحات:۱۲
چکیده:
در این مقاله یک تکنیک جدید جهت تحقق مدار نمونه بردار و نگهدار تمام دیفرانسیلی با قابلیت نمونه برداری خط به خط در تکنولوژی ۳۲ نانومتر ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی ارائه گردیده است. مدار پیشنهادی قابلیت نمونه برداری با فرکانس نمونه برداری دو برابر فرکانس کلاک مدار و با سرعت بسیار بالا، توان مصرفی بسیار پایین و دقت بالا را در ولتاژ پایین دارا می باشد. طراحی تمام دیفرانسیلی، خطای ناشی از اغتشاشات و اثرات مد مشترک را کاهش داده و دقت نمونه برداری را به طور چشم گیری افزایش می دهد. عملکرد مدار در فرکانس های مختلف نمونه برداری با ولتاژ ورودی سینوسی و دامنه ۰۹Vppd در نرم افزار HSPICE_vD-2010.03 شبه سازی و خروجی مدار مورد بررسی و ارزیابی قرار گرفته است. این ارزیابی گویای عملکرد بسیار بهینه مدار است. مدار پیشنهادی در فرکانس نمونه برداری ۸Ghz دارای اغتشاشات هارمونیک کل (THD) کمتر از -۵۱۳dB، متناظر با دقت نمونه برداری بیش از ۸bit برای ورودی سینوسی با فرکانس ۱۰۱۵۶۲۵GHz و دامنه ۰۹Vppd در ولتاژ تغذیه ۰۹V می باشد. زمان نگهداری (زمان رسیدن به پایداری خروجی) برابر ۲۴ps در فرکانس نمونه برداری ۵GHz است. بر این اساس زمان صحت سیگنال خروجی بیش از ۸۰% زمان کلاک خواهد بود. توان مصرفی کل در فرکانس نمونه برداری ۸GHz، برابر ۶۷۲uw است.