مقاله رشد لایه های نازک اکسید قلع تهیه شده به روش تبخیر اشعه الکترونی

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله رشد لایه های نازک اکسید قلع تهیه شده به روش تبخیر اشعه الکترونی دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله رشد لایه های نازک اکسید قلع تهیه شده به روش تبخیر اشعه الکترونی  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله رشد لایه های نازک اکسید قلع تهیه شده به روش تبخیر اشعه الکترونی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله رشد لایه های نازک اکسید قلع تهیه شده به روش تبخیر اشعه الکترونی :

تعداد صفحات:۵
چکیده:
لایه های نازک اکسید قلع با استفاده از تبخیر اشعه الکترونی و فرض SnO2 خالص (۹۹/۹۹%) روی زیر لایه های شیشه با تغییرات ضخامت تهیه شده اند. لایه ها در دمای زیر لایه ۲۸۰ درجه سانتیگراد و اهنگ انباشت ۱/۸AS ساخته شده و بعد از آن در محیط هوا در دمای ۴۵۰ درجه سانتیگراد بمدت ۳h تحت انیلینگ قرار گرفته اند خواص ساختاری اپتیکی و الکتریکی این لایه ها قبل و بعد از انیلیینگ بررسی شده است. خواص ساختاری توسط طیف سنج پراش اشعه X و طیف تراگسیل لایه ها و مقاومت سطحی آنها توسط طیف سنج با مدل Carry 100 و روش دو نقطه ای اندازه گیری شده است. تر÷اگسیل و مقاومت سطحی لایه ها قبل ار انیلینگ با افزایش ضخامت از ۸۰nm به ۴۸۰nm کاهش می یابد و بعد از انیلینگ تراگسیل از ۸۳/۳% به ۱۴/۲% و مقاومت از سطحی ۱۳۰k به ۴۰k بترتیب با افزایش ضخامت کاهش یافته است.