دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله استفاده از InGaAs به عنوان کانال در HEMT برای کاربردهای فرکانس بالا
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله استفاده از InGaAs به عنوان کانال در HEMT برای کاربردهای فرکانس بالا دارای ۸ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله استفاده از InGaAs به عنوان کانال در HEMT برای کاربردهای فرکانس بالا کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله استفاده از InGaAs به عنوان کانال در HEMT برای کاربردهای فرکانس بالا،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله استفاده از InGaAs به عنوان کانال در HEMT برای کاربردهای فرکانس بالا :
تعداد صفحات:۸
چکیده:
رشد تکنولوژی نیاز به انتقال هرچه سریعتر اطلاعات را بیشتر جلوه میدهد. اگرچه در دنیای کنونی پیشرفتهایی در ارسال اطلاعات حاصل شده است، ولی نیاز و تقاضای کنونی نیازمند افزاره های با عملکرد سریعتر میباشد. ترانزیستورهای با قابلیت حرکت الکترون بالا ۳ افزاره های الکتریکی مهمی برای ادوات الکترونیکی سرعت بالا به شمار می آیند. در این مقاله ساختاری از ترانزیستور HEMT پیشنهاد شده که از InGaAs به عنوان کانال استفاده شده است. همچنین سعی شده تا اثر تغییراتی شامل: گیت فرو رفته، گیت T شکل، تغییر طول کانال و تغییر چگالی ناخالصی لایه ی هسته ساز بر روی عملکرد افزاره، همچون فرکانس قطع، هدایت الکتریکی و جریان اشباع بررسی شود.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
