مقاله یک تقویت کننده ی امپدانس انتقالی CMOS کم مصرف برای گیرنده ی مخابرات نوری ۵Gb/S

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله یک تقویت کننده ی امپدانس انتقالی CMOS کم مصرف برای گیرنده ی مخابرات نوری ۵Gb/S دارای ۹ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله یک تقویت کننده ی امپدانس انتقالی CMOS کم مصرف برای گیرنده ی مخابرات نوری ۵Gb/S  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله یک تقویت کننده ی امپدانس انتقالی CMOS کم مصرف برای گیرنده ی مخابرات نوری ۵Gb/S،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله یک تقویت کننده ی امپدانس انتقالی CMOS کم مصرف برای گیرنده ی مخابرات نوری ۵Gb/S :

تعداد صفحات:۹
چکیده:
در این مقاله یک تقویت کننده ی امپدانس انتقالی برای گیرنده های مخابرات نوری ارائه می شود. این تقویت کننده براساس ساختار RGC اصلاح شده می باشد که از نظر توان مصرفی بهینه و از تکنیک inductive peaking نیز برای افزایش پهنای باند استفاده شده است. این مدار در تکنولوژی m CMOS 0.18 طراحی وتوسط نرم افزار HSPICE شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی بهره ی ۵۴dB پهنای باند ۴۷GHz و توان مصرفی ۳۳mW را نشان می دهد که نشان دهنده ی عملکرد مناسب تقویت کننده ی پیشنهادی برای کاربردهای ۵Gb/s می باشد. تحلیل مونت- کارلوی به دست آمده نشان می دهد که تغییرات ابعاد ترانزیستورها اثر چندانی بر شاخص های عملکرد مدار مانند بهره و پهنای باند ندارد.