مقاله بررسی خواص ترابرد الکترونها در نیمه هادی Si با روش مونتکارلو برای طراحی و بهینه سازی افسارههای الکترونیکی

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله بررسی خواص ترابرد الکترونها در نیمه هادی Si با روش مونتکارلو برای طراحی و بهینه سازی افسارههای الکترونیکی دارای ۸ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله بررسی خواص ترابرد الکترونها در نیمه هادی Si با روش مونتکارلو برای طراحی و بهینه سازی افسارههای الکترونیکی  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی خواص ترابرد الکترونها در نیمه هادی Si با روش مونتکارلو برای طراحی و بهینه سازی افسارههای الکترونیکی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله بررسی خواص ترابرد الکترونها در نیمه هادی Si با روش مونتکارلو برای طراحی و بهینه سازی افسارههای الکترونیکی :

تعداد صفحات:۸
چکیده:
در این مقاله با استفاده از تکنیک شبیه سازی مونتکارلو و در نظر گرفتن عوامل مختلف پراکندگی از قبیل فونون اکوستیکی، فونون نوری قطبی و غیر قطبی و ;، خواص ترابرد الکترونها در نیمه هادی Si مورد مطالعه قرار گرفته است. با در نظر گرفتن یک مدل تک درهای، غیر همسانگردی نیمه هادی و غیر سهموی بودن نوار هدایت تغییرات سرعت سوق در حضور میدانهای الکتریکی مختلف، دماهای مختلف در حالت پایدار و ناپایدار بررسی ده است. با استفاده از نمودارهای زمان ترابرد و سرعت سوق الکترونها برحسب ابعاد افزاره، می توان استفاده از این نیمه هادی در ساخت افزاره های الکترونیکی را بهینه سازی ک رد. همچنین برای اعتبار سنجی مدل ارائه شده، برخی از نتایج حاصل از شبیه سازی مونتکارلو با نرم افزار سیلواکو مقایسه شده است.