مقاله بررسی مسفت ها برپایه گالیم نیتراد وتحلیل اثر ولتاژ آستانه

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله بررسی مسفت ها برپایه گالیم نیتراد وتحلیل اثر ولتاژ آستانه دارای ۹ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله بررسی مسفت ها برپایه گالیم نیتراد وتحلیل اثر ولتاژ آستانه  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی مسفت ها برپایه گالیم نیتراد وتحلیل اثر ولتاژ آستانه،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله بررسی مسفت ها برپایه گالیم نیتراد وتحلیل اثر ولتاژ آستانه :

تعداد صفحات:۹
چکیده:
تکنولوژی نیمه هادی مدرن منجر به تغییرات مناسب قطعات می شود و نقش مهمی را در زندگی روزمره ایفا می کند. قطعات مبتنی بر نیمه هادی های گروه III به ویژه نیمه هادی GaN به دلیل خواص ذاتی ماده، نوید قطعاتی با قدرت بالا، فرکانس بالا و توان مصرفی پایی را می دهد. مهم ترین مشخصه ی اصلی این گروه از نیمه هادی ها، طبیعت شکاف باند عریضشان می باشد. ویژگی مهم دیگر نیتریدهای III-V آن است که آنها میدان های شکست قوی ای دارند. GaN دارای ویژگی انتقال الکترون بسیار خوب، موبیلیتی خوب و سرعت رانش فوق اشباع می باشد. مشخصه ی مهم نیتریدهای III-V در مقایسه با SiC اختراع ساختار نامتجانس است که می تواند حمایت شود.