مقاله مدار مرجع ولتاژ Bandgap با ولتاژ کمتر از ۰/۵ ولت و تکنولوژی نانومتر CMOS

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله مدار مرجع ولتاژ Bandgap با ولتاژ کمتر از ۰/۵ ولت و تکنولوژی نانومتر CMOS دارای ۹ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله مدار مرجع ولتاژ Bandgap با ولتاژ کمتر از ۰/۵ ولت و تکنولوژی نانومتر CMOS  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله مدار مرجع ولتاژ Bandgap با ولتاژ کمتر از ۰/۵ ولت و تکنولوژی نانومتر CMOS،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله مدار مرجع ولتاژ Bandgap با ولتاژ کمتر از ۰/۵ ولت و تکنولوژی نانومتر CMOS :

تعداد صفحات:۹
چکیده:
در این مقاله طراحی مدار مرجع ولتاژ (Bandgap) در ولتاژ کمتر از یک ولت و تکنولوژی نانومتر CMOS بررسی شده و در نهایت یک مدار مرجع ولتاژ با استفاده ترانزیستورهای CMOS و مقاومت برای ایجاد یک مرجع ولتاژ دقیق با حذف ترانزیستورهای دوقطبی ارائه شده است. طراحی جدید منجر به کاهش توان مصرفی و همچنین سطح تراشه اشغالی آن شده است. نحوه عملکرد مدار پیشنهادی بر اساس اختلاف دو جریان PTAT, CTAT می باشد که با استفاده از تفاوت ولتاژ آستانه MOS در تکنولوژی های نانومتر حاصل شده است. لذا از این خاصیت ترانزیستورهای MOS و همچنین بایاس در ناحیه وارونگی ضعیف بدست آمده است. همچنین در مدار پیشنهاد شده برای کاهش سطح تراشه از آپ امپ در مقیاس با کارهای قبلی استفاده نشده است. مدار ارائه شده در تکنولوژی ۰/۱۸ نانومتر CMOS پیاده سازی شده و با نرم افزار HSPICE شبیه سازی شده است. تمام شبیه سازی ها با درنظر گرفتن تغییرات دمایی بین ۴۰ تا ۸۵ درجه سانتیگراد و نتایج آنها گزارش شده است.