دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله بررسی اتصال بدنه I-gate در ترانزیستور سیلیکون روی عایق قسمتی تهی شده
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله بررسی اتصال بدنه I-gate در ترانزیستور سیلیکون روی عایق قسمتی تهی شده دارای ۹ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله بررسی اتصال بدنه I-gate در ترانزیستور سیلیکون روی عایق قسمتی تهی شده کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی اتصال بدنه I-gate در ترانزیستور سیلیکون روی عایق قسمتی تهی شده،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله بررسی اتصال بدنه I-gate در ترانزیستور سیلیکون روی عایق قسمتی تهی شده :
تعداد صفحات:۹
چکیده:
دراین مقاله برای اولین بارمدل مداری ساختارچندتایی ترانزیستورI-gate ارایه گردید پارامترهایمدل با استفاده از نتایج شبیه سازی ترانزیستور ۴۵ نانومتر سیلیکون روی عایق تنظیم شد با استفاده ازاین مدل ولتاژ بدنه نمونه بدست امد و به ترانزیستور اعمال گردید نمودارولتاژ استانه و جریان درین رسم گردید با توجه به تغییرات زیاد این پارامتر ها مقایسه کامل ترانزیستورهای کناری و وسطی ساختارچندتایی I-gate صورت پذیرفت این مقایسه بیانگر افزایش پارامتر کاهش سدپتانسیل درین به میزان ۳۰درصد افزایش جریان نشتی به اندازه ۴۰برابر می باشد باتوجه به این نتایج ساختارI-gate و مقایسه آن بادیگرروشهای اتصال بدنه نیاز به بررسی پارامترهای فوق را ملزم می نماید.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
