دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله بررسی افزایش جریان نشتی در ترانزیستورهای سیلیکون روی الماس تمام تخلیه
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله بررسی افزایش جریان نشتی در ترانزیستورهای سیلیکون روی الماس تمام تخلیه دارای ۶ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله بررسی افزایش جریان نشتی در ترانزیستورهای سیلیکون روی الماس تمام تخلیه کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی افزایش جریان نشتی در ترانزیستورهای سیلیکون روی الماس تمام تخلیه،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله بررسی افزایش جریان نشتی در ترانزیستورهای سیلیکون روی الماس تمام تخلیه :
تعداد صفحات:۶
چکیده:
دراین مقاله شبیه سازی افزاره یک ساختارترانزیستورسیلیکون روی عایق مورد بررسی قرارمیگیرد عایق مدفون دراین ترانزیستورها دی اکسید سیلیکون و الماس قرار داده شده و جریان نشتی درهرکدام مورد شبیه سازی قرار میگیرد پروسه موردنظر ترانزیستورهای تمام تخلیه بدنه فوق نازک باطول کانال ۲۲ نانومتر میب اشد شبیه سازی دوبعدی هیدرودینامیک ازترانزیستورانجام می یابد نشان داده شد که جریان نشتی درترانزیستورهای سیلیکون روی الماس به اندازه ۴۷درصد درمقایسه با سیلیکون روی عایق افزایش یافته است درترانزیستورهای سیلیکون روی الماس با افزایش ثابت دی الکتریک از۵۷به ۱۰ جریان نشتی افزایش بیشتری پیدا می کند این درحالیست که ماکزیمم درجه حرارت کانال درترانزیستورهای سیلیکون روی الماس به اندازه ۳۰ درجه کلوین و سیلیکون روی عایق به اندازه ۱۸۰ درجه کلوین افزایش می یابد نتایج شبیه سازی بیانگرکارکرد مطلوب زیرلایه سیلیکون روی الماس می باشد
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
