مقاله ایجاد پوشش نانوساختار سخت TiAlN با استفاده از روش HIPIMS و بررسی اثرات پدیده کندوپاش ثانویه بر خواص سطحی آن


در حال بارگذاری
23 اکتبر 2022
فایل ورد و پاورپوینت
2120
2 بازدید
۷۹,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله ایجاد پوشش نانوساختار سخت TiAlN با استفاده از روش HIPIMS و بررسی اثرات پدیده کندوپاش ثانویه بر خواص سطحی آن دارای ۱۳ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله ایجاد پوشش نانوساختار سخت TiAlN با استفاده از روش HIPIMS و بررسی اثرات پدیده کندوپاش ثانویه بر خواص سطحی آن  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله ایجاد پوشش نانوساختار سخت TiAlN با استفاده از روش HIPIMS و بررسی اثرات پدیده کندوپاش ثانویه بر خواص سطحی آن،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد


بخشی از متن مقاله ایجاد پوشش نانوساختار سخت TiAlN با استفاده از روش HIPIMS و بررسی اثرات پدیده کندوپاش ثانویه بر خواص سطحی آن :

تعداد صفحات:۱۳
چکیده:
هدف از این مقاله، ایجاد پوشش نانوساختار سخت نیترید تیتانیوم- آلومینیوم TiAlN) با استفاده از روش کندوپاش مغناطیسی با توان بالای برانگیختگی HIPIMS) و نیز بررسی نقش پدیده کندوپاش ثانویه بر خواص نهایی آن میباشد. پدیده کندوپاش ثانویه بر اثر برخورد اتمهای کندوپاش شده (از ماده هدف) با سطح زیرلایه (در حال پوشش) میباشد که در ولتاژهای بایاس منفی بالا اتفاق میافتد. این پدیده اثرات قابل توجهی بر خواص سطحی پوشش دارد. برای این منظور پوششهای نانوساختار TiAlN با استفاده از روش HIPIMS در ولتاژهای بایاس منفی مختلف ۵۰ تا ۲۰۰ ولت اعمال شد. فرایند لایهنشانی در دمای ۳۰۰ درجه سانتیگراد، فشار محفظه ۵ میلیتور و نسبت گازهای ArN2 به ترتیب ۲:۱ انجام شد. برای شناسایی و بررسی پوششهای نانوساختار TiAlN و خواص آن از دستگاههای پراش پرتو ایکس، میکروسکوپ الکترونی روبشی میکروسکوپ نیروی اتمی و میکروآنالیزگر پروبی استفاده شد. نتایج دلالت میکند که با تغییر در ولتاژهای بایاس مختلف، ترکیب شیمیایی، ساختار بلوری، زبری سطحی و تراکم پوشش تغییر میکند. یکی از مهمترین علتهای مشترک آن ممکن است بهخاطر پدیده کندوپاش ثانویه باشد که در ولتاژهای بایاس بالا اتفاق میافتد.

  راهنمای خرید:
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.