مقاله رشدوبررسی خواص نانوساختاری AlNبرSi 111 به عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستورهای اثرمیدانی


در حال بارگذاری
مقاله رشدوبررسی خواص نانوساختاری AlNبرSi 111 به عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستورهای اثرمیدانی
23 اکتبر 2022
فایل ورد و پاورپوینت
2120
10 بازدید
۹۷,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله رشدوبررسی خواص نانوساختاری AlNبرSi 111 به عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستورهای اثرمیدانی دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله رشدوبررسی خواص نانوساختاری AlNبرSi 111 به عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستورهای اثرمیدانی  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله رشدوبررسی خواص نانوساختاری AlNبرSi 111 به عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستورهای اثرمیدانی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله رشدوبررسی خواص نانوساختاری AlNبرSi 111 به عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستورهای اثرمیدانی :

تعداد صفحات:۵
چکیده:
نیترید الومینیوم درشرایط فشاربسیارپایین برزیرلایه سیلیکون ۱۱۱ دردمای محیط رشدداده شد این فیلم دردماهای مختلف بازپخت شد و خصوصیات ساختاری فیلم با استفاده ازتکنیک های XRD AES(Auger electron spectroscopy بررسی شد بررسی های به عمل امده نشان میدهد که فیلم امورف نیتراید الومینیوم برزیرلایه سیلیکون شکل گرفته است و این ویژگی درکناربالا بودن ثابت دی الکتریک آن میتواند ازآن گیت دی الکتریک مناسب به جای اکسیدفرانازک سیلیکون بسازد

  راهنمای خرید:
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.