دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله مدلسازی، شبیه سازی و اعتبار سنجی ترانزیستور دو قطبی سیلیکون – کاربید قدرت براساس مدل فیزیکی بیان شده با معادله انتشار Ambiplor
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله مدلسازی، شبیه سازی و اعتبار سنجی ترانزیستور دو قطبی سیلیکون – کاربید قدرت براساس مدل فیزیکی بیان شده با معادله انتشار Ambiplor دارای ۱۳ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله مدلسازی، شبیه سازی و اعتبار سنجی ترانزیستور دو قطبی سیلیکون – کاربید قدرت براساس مدل فیزیکی بیان شده با معادله انتشار Ambiplor کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله مدلسازی، شبیه سازی و اعتبار سنجی ترانزیستور دو قطبی سیلیکون – کاربید قدرت براساس مدل فیزیکی بیان شده با معادله انتشار Ambiplor،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله مدلسازی، شبیه سازی و اعتبار سنجی ترانزیستور دو قطبی سیلیکون – کاربید قدرت براساس مدل فیزیکی بیان شده با معادله انتشار Ambiplor :
تعداد صفحات:۱۳
چکیده:
این مقاله یک مدل مبتنی بر فیزیک ترانزیستور پیوند دو قطبی و صحت اعتبار آن را از طریق شبیه سازی نشان می دهد. راه حل سری فوریه به منظور حل معادله انتشار تساوی یون های مثبت و منفی (Ambipolar) در ناحیه کلکتور ترانزیستور استفاده می شود. این مدل توسط MARLAB و Simulink تحقق می یابد. نتایج حاصل از شبیه سازی تغییرات شکل موج ها بدست خواهند آمد.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
