دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله تکنیک جدید تصحیح جبران سازی انحنای ولتاژ خروجی برای مدار مرجع ولتاژ زیر یک ولت CMOS
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله تکنیک جدید تصحیح جبران سازی انحنای ولتاژ خروجی برای مدار مرجع ولتاژ زیر یک ولت CMOS دارای ۶ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله تکنیک جدید تصحیح جبران سازی انحنای ولتاژ خروجی برای مدار مرجع ولتاژ زیر یک ولت CMOS کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله تکنیک جدید تصحیح جبران سازی انحنای ولتاژ خروجی برای مدار مرجع ولتاژ زیر یک ولت CMOS،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله تکنیک جدید تصحیح جبران سازی انحنای ولتاژ خروجی برای مدار مرجع ولتاژ زیر یک ولت CMOS :
تعداد صفحات:۶
چکیده:
در این مقاله طرح یک مدار جدید مرجع ولتاژ( بند گپ) با قابلیت ایجاد مرجع ولتاژ ۰/۴۸ولت به منظورو مقاومت برای ایجاد یک CMOS تحصیح وجبران سازی رفتار غیر خطی ولتاژ بیس-امیتر با استفاده ترانزیستورهایمرجع ولتاژ دقیق ارائه شده است. این امر منجر به بهبود دقت مرجع ولتاژ و همچنین کاهش توان مصرفی شده است. درطرح مدار پیشنهادی که با استفاده ازیک تقویت کننده تفاضلی برای رسیدن به حداقل آفست با ولتاژ تغذیه یک ولت و همچنین ترانزیستورهایMOSکه در ناحیه وارونگی ضعیف بایاس شده اند، استفاده شده است. مدارارائه شده درتکنولوژی ۹۰ نانومترCMOSپیادهسازی شدهو بانرمافزارHSPICEشبیهسازی شدهاست. تمام شبیهسازیها با در گرفتن تغییرات دمایی بین ۴۰-تا ۸۵ درجه سانتیگرادپرداخته شده و نتایجی با تغییراتی کمتر ازPSRR 20ppm/c 40dB بدست امده است
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
