دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله مروری بر تکنولوژی نوین RB-IGBT جهت افزایش کارایی مبدل های سوئیچینگ توان بالا
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله مروری بر تکنولوژی نوین RB-IGBT جهت افزایش کارایی مبدل های سوئیچینگ توان بالا دارای ۱۲ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله مروری بر تکنولوژی نوین RB-IGBT جهت افزایش کارایی مبدل های سوئیچینگ توان بالا کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله مروری بر تکنولوژی نوین RB-IGBT جهت افزایش کارایی مبدل های سوئیچینگ توان بالا،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله مروری بر تکنولوژی نوین RB-IGBT جهت افزایش کارایی مبدل های سوئیچینگ توان بالا :
تعداد صفحات:۱۲
چکیده:
در این مقاله ترانزیستور دو قطبی با گیت عایق و قابلیت انسداد معکوس (RB-IGBT) به عنوان یک المان جدید جهت مقاصد توان بالا مورد بحث و بررسی قرار گرفته است . کاربردهای این المان درالکترونیک قدرت و استفاده در مبدل های صنعتی آورده شده و در مورد مزایا و معایب آن بحث می شود. سوئیچ های دو جهته مورد بررسی قرار گرفته اند. RB-IGBT با المان های قدرت دیگر مقایسه شده و همچنین ساختار فیزیکی و آرایش های مهم و نحوه عملکرد این المان توضیح داده شده است.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
