دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله بررسی عملکرد ترانزیستورهای با تحرک الکترونی زیاد
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله بررسی عملکرد ترانزیستورهای با تحرک الکترونی زیاد دارای ۶ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله بررسی عملکرد ترانزیستورهای با تحرک الکترونی زیاد کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی عملکرد ترانزیستورهای با تحرک الکترونی زیاد،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله بررسی عملکرد ترانزیستورهای با تحرک الکترونی زیاد :
تعداد صفحات:۶
چکیده:
در این مقاله به الزام استفاده از ترانزیستورهای اثر میدانی پیوند ناهمپون با ساختار تحرک الکترونی بالا و بررسی و عملکرد آن جهت استفاده در مدارات فرکانس بالا می پردازیم. ضروریات، مزایا و محاسبات این گونه از ترانزیستورها به طور کامل تشریح می شود. گونه های مختلف ترانزیستورهای با تحرک الکترونی زیاد pHEMT، mHEMT و Induced HEMT می باشد. مکانیزم کوانتومی الکترون در کانال و چاه پتانسیل مهمترین ویژگی را برای اینگونه از ترانزیستورها فراهم می کند. شبیه سازی نفوذ – رانشی عددی دوبعدی و مقایسه HEMT با یک ترانزیستور FET معمولی برای برجسته ساختن ویژگی های این ساختار، موردنظر است.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
