دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله ترانزیستور اثر میدانی تونلی نانونوار گرافینی اصلاح شده برای کاربردهای توان پایین
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله ترانزیستور اثر میدانی تونلی نانونوار گرافینی اصلاح شده برای کاربردهای توان پایین دارای ۸ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله ترانزیستور اثر میدانی تونلی نانونوار گرافینی اصلاح شده برای کاربردهای توان پایین کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله ترانزیستور اثر میدانی تونلی نانونوار گرافینی اصلاح شده برای کاربردهای توان پایین،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله ترانزیستور اثر میدانی تونلی نانونوار گرافینی اصلاح شده برای کاربردهای توان پایین :
تعداد صفحات:۸
چکیده:
در این مقاله مشخصات ترانزیستور اثر میدانی تونلی مبتنی بر نانونوار گرافین مورد بررسی قرار خواهد گرفت و ساختار اصلاح شده ای به منظور کاهش جریان خاموشی معرفی می شود. در ساختار پیشنهادی به جای استفاده از یک ناحیه با چگالی بالا در سمت درین، از یک ناحیه با همان اندازه ولی کم چگال که چگالی آن به صورت خطی تا حالت ذاتی در سمت درین کاهش می یابد، استفاده شده است . لذا در سمت درین اتصال شاتکی و در سمت سورس اتصال از نوع اهمی است. مشخصات الکتریکی ساختار پیشنهادی با استفاده از روش تابع گرین غیرتعادلی (negf) و در فضای مد شبیه سازی و نتایج آن با ساختار تونلی متعارف و با همان ابعاد مقایسه شده است. نتایج حاصل از این مقایسه ها نشان می دهد که جریان خاموشی، رفتار Am-bipolar، نسبت ION/IOFF و همچنین زمان تاخیر و توان مصرفی که بیان کننده رفتار کلیدزنی می باشند، بسیار بهبود یافته است.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
