مقاله طراحی تقویت کننده پهن باند کم نویز در باند X مبتنی بر روش امواج رونده با فناوری CMOS


در حال بارگذاری
مقاله طراحی تقویت کننده پهن باند کم نویز در باند X مبتنی بر روش امواج رونده با فناوری CMOS
23 اکتبر 2022
فایل ورد و پاورپوینت
2120
1 بازدید
۷۹,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله طراحی تقویت کننده پهن باند کم نویز در باند X مبتنی بر روش امواج رونده با فناوری CMOS دارای ۹ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله طراحی تقویت کننده پهن باند کم نویز در باند X مبتنی بر روش امواج رونده با فناوری CMOS  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله طراحی تقویت کننده پهن باند کم نویز در باند X مبتنی بر روش امواج رونده با فناوری CMOS،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله طراحی تقویت کننده پهن باند کم نویز در باند X مبتنی بر روش امواج رونده با فناوری CMOS :

تعداد صفحات:۹
چکیده:
در این مقاله، یک تقویت کننده پهن باند با نویز کم (LNA) برای کاربردهای باند X و (۸ تا ۱۲ گیگاهرتز) طراحی شده است. مدار پیشنهادی متشکل از چهار بخش ترانزیستوری است که با بهره گیری از روش تقویت کننده های موج رونده (TWA) طراحی گردیده است. همچنین از یک فیلتر برای حذف اثر تداخل فرکانسی باندهای مجاور استفاده شده است. مدار طراحی شده از تطبیق خوبی در کل باند X برخوردار بوده و منحنی بهره نیز در عین حال دارای تغییرات اندکی است. شبیه سازی ها در تکنولوژی ۰۱۸ m RF CMOS با نرم افزار ADS نشان می دهند که بهره در کل باند dB 10.2 ~9.8 و عدد نویز ۱۹dB~1.35 است. همچنین توان مصرفی تحت ولتاژ تعذیه ۱۸V برابر با ۱۵۸mW است.

  راهنمای خرید:
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.