دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله استفاده از لایه الماس در باکس ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله استفاده از لایه الماس در باکس ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق دارای ۴ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله استفاده از لایه الماس در باکس ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله استفاده از لایه الماس در باکس ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله استفاده از لایه الماس در باکس ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق :
تعداد صفحات:۴
چکیده:
هدایت گرمایی الماس ۰۱ برابر از سیلیکون و ۰۱۱۱ برابر از اکسید سیلیکون بیشتر میباشد. این مشخصه، الماس را بعنوان یک هادی گرمایی خوب معرفی کرده و باعث انتقال یکنواخت حرارت میگردد. با توجه به این مشخصه میتوان گفت که ترانزیستورهای سیلیکون بر روی الماس جایگزین خوبی برای نسل آینده ترانزیستورها به ویژه در کاربردهایی با قابلیت هدایت گرمایی بالا بوده به طوری که با پایین آمدن دما، امکان استفاده از این تکنولوژی در شرایط توان بالا مهیا میگردد. افزون بر مزیت عالی تکنولوژی سیلیکون روی الماس، بدلیل ضریب گذردهی بالاتر ماده الماس نسبت به اکسید سیلیکون، خازنهای کوپلاژ بین سورس و درین با بدنه از طریق لایه الماس بزرگتر شده و این موج بدتر شدن اثرات کانال کوچه در افزارههای زیر میکرون شده است، لدا لازم است جهت بهبود اثرات کانال کوتاه در تکنولوژی سیلیکون روی الماس، این ساختارها مورد بررسی بیشتری قرار گیرد
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
