دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله آنالیز ساختار داخلی ترانزیستور HEMT
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله آنالیز ساختار داخلی ترانزیستور HEMT دارای ۱۲ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله آنالیز ساختار داخلی ترانزیستور HEMT کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله آنالیز ساختار داخلی ترانزیستور HEMT،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله آنالیز ساختار داخلی ترانزیستور HEMT :
تعداد صفحات:۱۲
چکیده:
نوعی ترانزیستور اثر میدانی و یا اصطلاحا همان ۱FET است که طوری طراحی شده که در فرکانس های مایکروویو کارآیی بالایی داشته باشد. از خصوصیات ویژه این ترانزیستور ضریب نویز کم در فرکانس های بالا و مایکروویو است. در فرکانس های بالا و نوسان کننده های مایکروویو عملکرد بسیار مطلوبی دارد و میزان نویز پذیری آن در این مدارات بسیار پایین است. مکانیسم کوانتومی این ترانزیستور مبتنی بر نوع مواد سازنده آن است که دو نوع از ترانزیستور HEMT را می توان با آن ساخت. مواد سازنده این ترانزیستور از قبیل : گالیوم- آرسنیک- ایندیوم- فسفات- نیترات- آلومنیوم می باشد. دو نوع ترانزیستو ر pHEMT و mHEMT را داریم و می توان با آنها مدارات فرکانس بالا را با نویز کم و توان بالا طراحی وشبیه سازی کنیم
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
