مقاله طراحی و شبیه سازی تقسیم کننده /ترکیب کننده ی توان با ایزولاسیون مناسب و بهبود تضعیف خارج ازباند با استفاده ازساختارموجبرمجتمع شده درزیرلایه (SI W)


در حال بارگذاری
مقاله طراحی و شبیه سازی تقسیم کننده /ترکیب کننده ی توان با ایزولاسیون مناسب و بهبود تضعیف خارج ازباند با استفاده ازساختارموجبرمجتمع شده درزیرلایه (SI W)
23 اکتبر 2022
فایل ورد و پاورپوینت
2120
2 بازدید
۷۹,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله طراحی و شبیه سازی تقسیم کننده /ترکیب کننده ی توان با ایزولاسیون مناسب و بهبود تضعیف خارج ازباند با استفاده ازساختارموجبرمجتمع شده درزیرلایه (SI W) دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله طراحی و شبیه سازی تقسیم کننده /ترکیب کننده ی توان با ایزولاسیون مناسب و بهبود تضعیف خارج ازباند با استفاده ازساختارموجبرمجتمع شده درزیرلایه (SI W)  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله طراحی و شبیه سازی تقسیم کننده /ترکیب کننده ی توان با ایزولاسیون مناسب و بهبود تضعیف خارج ازباند با استفاده ازساختارموجبرمجتمع شده درزیرلایه (SI W)،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله طراحی و شبیه سازی تقسیم کننده /ترکیب کننده ی توان با ایزولاسیون مناسب و بهبود تضعیف خارج ازباند با استفاده ازساختارموجبرمجتمع شده درزیرلایه (SI W) :

تعداد صفحات:۵
چکیده:
در این مقاله یک تقسیم کنندهی توان پهنباند با استفاده از ساختار موجبر مجتمعشده در زیر لایه SIW با ایزولاسیون مناسب بین دهانه های خروجی و افزایش تضعیف خارج ازباند مطرح گردیده است شکافهای دمبلی شکل بصورت دوره ای برروی لایه ی بالایی SIW برای ایجادتضعیف خارج ازباند درساختار SIW ایجادگردیده اند به منظور ایجادایزولاسیون مناسب بین دهانه های خروجی ازمقاومت SMD استفاده شده است تقسیمکننده ی توان طراحی شده با نرم افزار شبیه سازالکترومغناطیسی ADS درفرکانس مرکزی ۴/۰۵GHZ شبیه سازی گردید ه ونتایج حاکی ازآن است که ازفرکانس ۳/۱ تا۵ GHz باندعبوری مناسب با مقدارتلفات برگشت کمتر از۱۲dB- برای دهانه ۱ و تلفات عبوری کمتر از۰/۵۵dB- بدست آمده و میزان تلفات برگشتی برای دهانه های ۲و۳ بهتر از۱۷-dB است همچنین بااستفاده ازمقاومت SMD بامقدار ۴۷ اهم بین دهانه های ۲و۳ اندازه ایزولاسیون بین این دودهانه به ۱۲/۵-dB رسیده است این نتایج حاکی ازآن است که مدارطراحی شده پیشنهادی میتواند برای کاربردهای فرکانس بالا و مدارات مایکرویوی مورداستفاده قرارگیرد

  راهنمای خرید:
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.