مقاله تحلیل و بررسی شبیه سازی ترانزیستور HEMT در مدار تقویت کننده نویز کم LNA فرکانس بالا


در حال بارگذاری
مقاله تحلیل و بررسی شبیه سازی ترانزیستور HEMT در مدار تقویت کننده نویز کم LNA فرکانس بالا
23 اکتبر 2022
فایل ورد و پاورپوینت
2120
1 بازدید
۷۹,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله تحلیل و بررسی شبیه سازی ترانزیستور HEMT در مدار تقویت کننده نویز کم LNA فرکانس بالا دارای ۱۶ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله تحلیل و بررسی شبیه سازی ترانزیستور HEMT در مدار تقویت کننده نویز کم LNA فرکانس بالا  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله تحلیل و بررسی شبیه سازی ترانزیستور HEMT در مدار تقویت کننده نویز کم LNA فرکانس بالا،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله تحلیل و بررسی شبیه سازی ترانزیستور HEMT در مدار تقویت کننده نویز کم LNA فرکانس بالا :

تعداد صفحات:۱۶
چکیده:
در این مقاله به بررسی میزان نویز در مدارات LNA1 در سیستم های فرمانس بالا و ماکروویو که در ان ترانزیستور ۲HEMT استفاده شده است، می پردازیم. میزان نویز ایجاد شده در این مدارات به دو صورت است: نویز داخلی ترانزیستور و نویز خارجی مدار این ترانزیستور دارای قابلیت بهره توان بالا در فرکانس های بالا است و نویز پذیری آن نیز به مراتب کمتر می باشد که امر موجب افزایش راندمان کاری این ترانزیستور در مدارات می باشد. در این مقاله با بررسی مدل سیگنال کوچک وسیگنال بزرگ و پارامترهای ذاتی و غیرذاتی میتوان ترانزیستور و مدارا آنرا تحلیل نمود تا بتوان از طریق نمودار ۳S میزان نویز و دیگر پارامترها را می توان بدست آورد

  راهنمای خرید:
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.