مقاله شبیه سازی ترانزیستور اثر میدانی نانوسیم سیلیکنی تونلی با گیت فراگیر و تحلیل آن

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله شبیه سازی ترانزیستور اثر میدانی نانوسیم سیلیکنی تونلی با گیت فراگیر و تحلیل آن دارای ۶ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله شبیه سازی ترانزیستور اثر میدانی نانوسیم سیلیکنی تونلی با گیت فراگیر و تحلیل آن  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله شبیه سازی ترانزیستور اثر میدانی نانوسیم سیلیکنی تونلی با گیت فراگیر و تحلیل آن،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله شبیه سازی ترانزیستور اثر میدانی نانوسیم سیلیکنی تونلی با گیت فراگیر و تحلیل آن :

تعداد صفحات:۶
چکیده:
در این مقاله مطالعاتی بر روی ترانزیستور اثر میدانی نانوسیم سیلیکنی تونلی با گیت فراگیر انجام شده است. ابتدا منحنی جربان درین سورس بر حسب ولتاژ گیت سورس ترانزیستور اثر میدانی نانوسیم سیلیکنی تونلی به ازای مقادیر مختلف دما بدست آمده است که برای انجام این کار از روش NEGF یا تابع غیر تعادلی گرین استفاده کرده ایم. سپس تغییر قطر کانال نانوسیم به عنوان راهکاری برای بهبود کارایی ترانزیستور مورد نظر ارائه می شود. با تحلیل نتایج بدست آمده خواهیم دید که هر چقدر قطر کانال ترانزیستور اثر میدانی نانوسیم تونلی کاهش یابد، سرعت کلیدزنی آن افزایش خواهد یافت.