مقاله بررسی اثرات خودگرمایی در افزاره هایAlGaN/GaN HEMT


در حال بارگذاری
مقاله بررسی اثرات خودگرمایی در افزاره هایAlGaN/GaN HEMT
23 اکتبر 2022
فایل ورد و پاورپوینت
2120
3 بازدید
۶۹,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله بررسی اثرات خودگرمایی در افزاره هایAlGaN/GaN HEMT دارای ۸ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله بررسی اثرات خودگرمایی در افزاره هایAlGaN/GaN HEMT  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی اثرات خودگرمایی در افزاره هایAlGaN/GaN HEMT،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله بررسی اثرات خودگرمایی در افزاره هایAlGaN/GaN HEMT :

تعداد صفحات:۸
چکیده:
در این مقاله تاثیر پدیده خودگرمایی بر مشخصه جریان ولتاژ افزاره – – AlGaN/GaN HEMT مورد بررسی قرار گرفته است و مدارمعادلی برای مقاومت گرمایی کل این افزاره با در نظر گرفتن مقاومت گرمایی لایه منفعل ساز داده شده است. نتایج این بررسی نشان می دهد که میزان خودگرمایی افزاره به جنس ماده و ضخامت لایه منفعل ساز افزاره وابستگی زیادی دارد. دو نوع لایه منفعل ساز Si3N4 و SiO2 برای GaN HEMT مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج حاصل از شبیه سازی ها نشان می دهند که استفاده از لایه منفعل ساز Si3N4 در مقایسه با SiO2 موجب کاهش ۵۱ درصدی اثرات خودگرمایی می گردد. همچنین با انتخاب ضخامت مناسب لایه منفعل ساز اثر خودگرمایی کاهش می یابد

  راهنمای خرید:
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.