مقاله افزایش ولتاژ شکست و کاهش اثر خودگرمایی در افزاره ی SOI-LDMOS


در حال بارگذاری
23 اکتبر 2022
فایل ورد و پاورپوینت
2120
2 بازدید
۹۷,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله افزایش ولتاژ شکست و کاهش اثر خودگرمایی در افزاره ی SOI-LDMOS دارای ۶ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله افزایش ولتاژ شکست و کاهش اثر خودگرمایی در افزاره ی SOI-LDMOS  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله افزایش ولتاژ شکست و کاهش اثر خودگرمایی در افزاره ی SOI-LDMOS،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد


بخشی از متن مقاله افزایش ولتاژ شکست و کاهش اثر خودگرمایی در افزاره ی SOI-LDMOS :

تعداد صفحات:۶
چکیده:
در این مقاله ابتدا به بررسی شبیه سازی عددی افزاره ی SOI-LDMOS می پردازیم. سپس با استفاده از تکنیک اکسید مدفوندوگانه، نشان خواهیم داد که ولتاژ شکست این افزاره نسبت به افزاره ی مرسومSOI-LDMOSبا اکسید مدفون سرتاسری، حدود ۲۱/۶۴ درصد افزایش می یابد. همچنین با استفاده از این تکنیک، اثر خودگرمایی به میزان ۲۸/۳۶درصد کاهش می یابد. مزیت روش پیشنهادی این است که جریان نشتی و فرکانس قطع افزاره تغییر چندانی نمی یابد

  راهنمای خرید:
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.