مقاله طراحی مبدل باک سنکرون دو مد در تکنولوژی CMOSابعاد ۹۰nm


در حال بارگذاری
مقاله طراحی مبدل باک سنکرون دو مد در تکنولوژی CMOSابعاد ۹۰nm
23 اکتبر 2022
فایل ورد و پاورپوینت
2120
1 بازدید
۷۹,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله طراحی مبدل باک سنکرون دو مد در تکنولوژی CMOSابعاد ۹۰nm دارای ۸ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله طراحی مبدل باک سنکرون دو مد در تکنولوژی CMOSابعاد ۹۰nm  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله طراحی مبدل باک سنکرون دو مد در تکنولوژی CMOSابعاد ۹۰nm،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله طراحی مبدل باک سنکرون دو مد در تکنولوژی CMOSابعاد ۹۰nm :

تعداد صفحات:۸
چکیده:
در این مقاله مبدلDC-DCباک دومد ارائه می شود. این مبدل توانایی تطبیق با شرایط مختلف بارگیری و بنابراین دست یافتن به بازده بالا در رنج وسیع از جریان بار را دارد. لذا به کار گیری این مدار در تجهیزات تغذیه شونده با باتری، زمان استفاده از باتری را افزایش می دهدمنابع سوییچینگPWM معمولی در فرکانس ثابت کار میکنند، به علت اتلاف سوییچ بالاتر دارای بازده بار سبک پایینی می باشند در حالی که منابع سوییچینگ با کنترلPFM بازده بیشتری در بار سبک دارد. زیرا فرکانس سوییچ و اتلاف سوییچ با کمتر شدن جریان بار کمتر شده است مبدل دومد تحت شرایط بار سبک به مدPFM وارد می شود. مبدلDC-DCباک در تکنولوژی CMOSابعاد۹۰nm شبیه سازی می شود. بازده مبدل باک ارائه شده در ولتاژ خروجی۸۱V بالای % ۱۸ است.

  راهنمای خرید:
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.