دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله مدلسازی ترانزیستور دوقطبی با گیت عایق شده IGBT به عنوان کلیدقدرت درنرم افزار PSPICE
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله مدلسازی ترانزیستور دوقطبی با گیت عایق شده IGBT به عنوان کلیدقدرت درنرم افزار PSPICE دارای ۶ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله مدلسازی ترانزیستور دوقطبی با گیت عایق شده IGBT به عنوان کلیدقدرت درنرم افزار PSPICE کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله مدلسازی ترانزیستور دوقطبی با گیت عایق شده IGBT به عنوان کلیدقدرت درنرم افزار PSPICE،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله مدلسازی ترانزیستور دوقطبی با گیت عایق شده IGBT به عنوان کلیدقدرت درنرم افزار PSPICE :
تعداد صفحات:۶
چکیده:
ترانزیستوردوقطبی با گیت عایق شده IGBT هنگامیکه به عنوان کلیدقدرت درمدارات سوییچینگ استفاده می شود باید درنواحی قطع و اشباع خودکار کند تابه حال دو مدل برای IGBT جهت استفاده درنرم افزارPSPICE معرفی شده که عبارتنداز مدل رفتاری و مدل فیزیکی استخراج پارامترهای سوییچینگ از این مدلها معمولا ساده نیست دراین مقاله مدلساده ای ارایه شده که ترکیبی از دو مدل قبلی است و مهندسین می توانند به راحتی و با استفاده از اطلاعات سازندگان و پارامترهای داده شده ازطرف انها ازمدل هدف به عنوان کلید قدرت IGBT درمدارات سوییچینگ استفاده کنند این مدل جهت توصیف شرایط کلیدزنی IGBT ازیک کلید کنترل شده با ولتاژ به منظور مدلسازی ماسفت داخلی دو خازن تحت عنوان خازن های پارازیتی و یک دیود موازی معکوس تشکیل شده است برخلاف دو مدل قبلی شبیه سازی مدل حاضر توسط PSPICE به محاسبات عددی بالایی نیاز ندارد دراین مقاله پس از معرفی و بیان اصول طراحی مدل هدف به شبیه سازی آن توسط مدار راه انداز خواهیم پرداخت و درنهایت جهت اثبات ادعاهای خود از آن برای شبیه سازی یک مبدل باک رزونانسی استفاده می شود.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
