دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله بیان میکروسکوپی از چگالی نیروی الکترومغناطیسی در محیطهای دی الکتریک مغناطیسی در مقیاس نانو
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله بیان میکروسکوپی از چگالی نیروی الکترومغناطیسی در محیطهای دی الکتریک مغناطیسی در مقیاس نانو دارای ۶ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله بیان میکروسکوپی از چگالی نیروی الکترومغناطیسی در محیطهای دی الکتریک مغناطیسی در مقیاس نانو کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بیان میکروسکوپی از چگالی نیروی الکترومغناطیسی در محیطهای دی الکتریک مغناطیسی در مقیاس نانو،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله بیان میکروسکوپی از چگالی نیروی الکترومغناطیسی در محیطهای دی الکتریک مغناطیسی در مقیاس نانو :
تعداد صفحات:۶
چکیده:
چگالی نیروی ماکروسکوپی روی محیط دی الکتریک مغناطیسی همسانگرد خطی در مقیاس نانو توسط میدان الکترومغناطیسی دلخواه و یک میانگین گیری فضایی ازچگالی نیروی لورنتسی میکروسکوپی محاسبه می شود.محاسبات بدست آمده در این مقاله ، با محاسبات عمومی و رایج که تاکنون بدست آمده متفاوت است.اما تانسور انرژی – تکانه با تانسور معروف هلمهولتز ،برای محیطهای که از قانون کلاسیوس-ماسوتی پیروی می کند هم خوانی دارد ، بنابراین بیان میکروسکوپی مقاله ، به وضوح صحت تانسور هلمهولتز را برای محیط در مقیاس نانو اثبات می کند. همچنین ، بیانی از چگالی تکانه میدان در این تئوری ، با بیان چگالی تکانه توسط آبرهام ، مینوفسکی ، لاب و اینشتین متفاوت است و تئوری آبراهم و مینوفسکی بر خلاف تئوری مقاله با مشاهدات تجربی همخوانی ندارد ، بخاطر همین تاکید به تئوری بدست آمده داریم.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
