مقاله نانو تکنولوژی دریکسوکننده نیم موج با دقت بالا در مد جریان دوگانه با توان مصرفی پایین مورد استفاده در مدارت آشکارساز

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله نانو تکنولوژی دریکسوکننده نیم موج با دقت بالا در مد جریان دوگانه با توان مصرفی پایین مورد استفاده در مدارت آشکارساز دارای ۶ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله نانو تکنولوژی دریکسوکننده نیم موج با دقت بالا در مد جریان دوگانه با توان مصرفی پایین مورد استفاده در مدارت آشکارساز  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله نانو تکنولوژی دریکسوکننده نیم موج با دقت بالا در مد جریان دوگانه با توان مصرفی پایین مورد استفاده در مدارت آشکارساز،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله نانو تکنولوژی دریکسوکننده نیم موج با دقت بالا در مد جریان دوگانه با توان مصرفی پایین مورد استفاده در مدارت آشکارساز :

تعداد صفحات:۶
چکیده:
این مقاله یک یکسوکننده نیم موج با دقت بالا در مد جریان خروجی دوگانه با استفاده از تکنولوژی ساختcmos 180 نانومتر ارائه می دهد که باولتاژ پایین ۱± کار می کند. در مدارات آشکارساز نیاز به توان مصرفی پایین و ایعاد تراشه کوچک مورد نیاز می باشد. استفاده از تکنولوژی نانو ما رابه این امر مهم می رساند. همه ترانزیستورها در ناحیه اشباع کار می کنند. این مدار سیگنال سینوسی ورودی را دریافت می کند و سیگنال نیم موج خروجی را در فرکانس بالا و مد جریان یکسو می کند. ساختار اصلی این مدار متشکل از مدار معکوسکنندهcmos دو منبع جریان آیینهای میباشد. نتایج شبیه سازی با استفاده از نرم افزارHSPICEمورد تائید است. مدار پیشنهادی دارای پهنای باند۵۰MHZمی باشد جریان ورودی درحدود۱۰۰Aتوان مصرفی ۲۱ پیکووات محاسبه شده است.