دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله نانوکامپوزیت های هیبریدی آلی – غیرآلی به عنوان گیت دی الکتریک در ترانزیستورهای فیلم نازک آلی
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله نانوکامپوزیت های هیبریدی آلی – غیرآلی به عنوان گیت دی الکتریک در ترانزیستورهای فیلم نازک آلی دارای ۱۰ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله نانوکامپوزیت های هیبریدی آلی – غیرآلی به عنوان گیت دی الکتریک در ترانزیستورهای فیلم نازک آلی کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله نانوکامپوزیت های هیبریدی آلی – غیرآلی به عنوان گیت دی الکتریک در ترانزیستورهای فیلم نازک آلی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله نانوکامپوزیت های هیبریدی آلی – غیرآلی به عنوان گیت دی الکتریک در ترانزیستورهای فیلم نازک آلی :
تعداد صفحات:۱۰
چکیده:
در کار حاضر ماده غیر آلی نیترات نیکل و ماده آلی پلی استایرن به روش سل- ژل سنتز شده است و سپس نمونه در دماهای ۸۰ و ۱۵۰ درجه سانتی گراد باز پخت داده شد. مورفولوژی سطح نانو کامپوزیت بدست آمده با استفاده از تکنیک میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) مورد بررسی قرار گرفت. با کمک نرم افزار X-Powder اندازه نانوکامپوزیت آلی- غیر آلی نیترات نیکل/ پلی استایرن محاسبه گردید . علاوه بر این پیوندهای تشکیل شده با طیف سنجی تبدیل فوریه مادون قرمز (FTIR) مطالعه گردید. نتایج بدست آمده نشان داد که نانو کامپوزیت هیبریدی پلی استایرن/ اکسید نیکل در دمای ۸۰ درجه سانتی گراد به خوبی شکل گرفته و می تواند جایگزین مناسبی برای گیت دی الکتریک ترانزیستورها باشد.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
